我国2016年启动的B类先导专项——大规模光子集成芯片致力于开发集成器件大于2000的大规模光子集成芯片,并最终实现了15408个器件的大规模集成,集成规模世界领先。在光子芯片设计水平方面,我国处于世界一流水平。
曦智科技设计出了全球首款光子计算芯片原型板卡,最新的单个芯片可集成12000个光子元器件,一些算法的实测性能已超过英伟达gpu的100倍,在光子计算领域领先国外。洛微科技发布了目前集成度最高的多通道FMCW激光雷达SoC光子芯片,单个芯片上可集成3000多个光子元器件。
在产业化方面,全球还处于起步孕育期,产业生态尚未形成,美国仅具有微弱优势。
美国于2004年首次实现大规模光子集成,2017年下半年英特尔开始大批量供应100G产品,标志着光子集成真正进入到主流应用领域。我国于2012年进入规模化集成阶段,与美国差距不大。
总体而言,相较于美欧在集成电路、机械等领域拥有数十年的积累优势,我国在光子芯片领域与国外差距较小,与美国的差距仅有5~10年。
随着国内相关技术的快速发展,中外差距正日益缩小,且我国在局部已具有领先优势。目前全球光子芯片产业尚未成熟、定型,世界上还没有任何一个公司、任何一个国家构建出光子集成生态,这也为我国在“后摩尔时代”换道超车提供了巨大空间。
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